A、 测试逆变IGBT二极管特性是否完好：

a) 红表笔接负母排（-），黑表笔依次接U、V、W 端子，测试逆变IGBT下桥二极管特性。

b) 黑表笔接正母排（+），红表笔依次接U、V、W 端子。测试逆变IGBT上桥二极管特性。

☞判定标准：逆变桥的正常二极管特性一般在0.35V-0.45V 之间，且整流桥6个二极管特性压降基本一致，偏差很小，在0.05V以内；如果某个二极管特性压降接近零或无穷大，则该IGBT可能损坏。

B、 测试逆变IGBT 的驱动G.E 端电容是否正确：

万用表选择“电容档”。找到逆变IGBT 模块的G.E端，然后测试6个IGBT的G.E端容值。

☞判定标准：逆变IGBT模块G.E端正常电容值为几十nF，也可以采用多个模块对比的方法，如果每个模块电容值基本接近，说明是良品；如果若IGBT损坏，G.E端结电容很大或接近于0，或等于0。

C、 测试UVW相间阻抗和对地（机壳）阻抗是否异常。

c) 万用表电阻档测定U-V、U-W、V-W 之间的电阻，确认输出端子间是否存在短路情况。

☞判定标准：正常相间阻抗都在MΩ级，阻抗过低说明IGBT模块存在问题。

d) 万用表电阻档测试UVW端子与地（变频器机壳）之间的阻抗。

☞判定标准：正常阻抗为MΩ级，如果阻抗较低（如几十Ω或几百kΩ）或阻抗接近零，则IGBT模块损坏。

IGBT是否异常的总体判定标准：以上ABC三个条件，任何一个不满足相应的判定标准，则IGBT 模块即可能损坏，可更换相应的IGBT 模块确认问题是否解决。